• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    一種溫度測定裝置，係用以推定包含有處理容器與加熱部之熱處理裝置當中之該處理容器內的溫度分布者；該處理容器於內部設有載置基板之旋轉台；該加熱部係加熱該處理容器；該溫度測定裝置係包含有：輻射溫度測定部，係設置成可藉由對該旋轉台之一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描以測定沿著該徑向之複數溫度測定區域的溫度；動作控制部，一旦受理該處理容器內之溫度分布的測定指示，乃利用該加熱部開始加熱該處理容器、並使得該旋轉台靜止，在利用該加熱部開始加熱該處理容器經過既定時間後，一邊使得該旋轉台相對於該輻射溫度測定部進行旋轉、一邊沿著該旋轉台之圓周方向反覆地進行利用該輻射溫度測定部來對該旋轉台之該一面側朝該旋轉台之徑向做掃描而測定該複數溫度測定區域之溫度的處理，而從該輻射溫度測定部取得該旋轉台之該徑向以及該圓周方向之複數該溫度測定區域之溫度；溫度地圖製作部，係基於該輻射溫度測定部於該旋轉台之徑向進行掃描之每一掃描的該溫度測定區域之數量以及該旋轉台之旋轉數，特定出該動作控制部取得該溫度之該溫度測定區域的位址，使得該溫度與該位址產生對應而記憶於記憶部；以及，溫度數據顯示處理部，該溫度地圖製作部係基於記憶於該記憶部之該溫度與該位址而顯示該旋轉台之該一面側的溫度分布來做為該處理容器內之溫度分布的推定值。
    公开号:TW201312680A
    申请号:TW101118640
    申请日:2012-05-25
    公开日:2013-03-16
    发明作者:Masayuki Moroi；Hitoshi Kikuchi；Masato Koakutsu
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:G01N25-00
    专利说明:
    溫度測定裝置、溫度測定方法、記憶媒體以及熱處理裝置
    本發明係關於一種一面藉由使旋轉台進行旋轉來旋轉基板、一面對基板進行熱處理之熱處理裝置中所使用之溫度測定裝置、溫度測定方法、記憶媒體以及熱處理裝置。
    做為熱處理裝置已知有例如於處理容器內所設之旋轉台的旋轉方向上載置複數基板之半導體晶圓(以下記為晶圓)的裝置。此熱處理裝置係設有沿著進行旋轉之該旋轉台的徑向來供給處理氣體之氣體供給部。此外，設有加熱晶圓之加熱器，一邊進行從氣體供給部釋出氣體以及加熱器對晶圓之加熱、一邊使得旋轉台旋轉以於晶圓進行成膜處理。
    例如於此熱處理裝置之開發階段，進行用以掌握處理容器內之整體溫度分布的檢查。此檢查係於處理容器內之各部裝設熱電偶，使得加熱器之溫度上升而利用熱電偶來測定其周圍之溫度。此處，由於各部之熱電偶僅能測定其周邊附近之溫度，故從各熱電偶之測定結果來假想處理容器內整體之溫度分布。
    但是，進行此檢查之際必須使得處理容器開放於大氣中來裝設熱電偶，故如此之檢查的事前準備會花費許多作業時間。此外，如上述般由於係從以針點(pin point)所測定之複數溫度來假想處理容器內之整體溫度，恐會和實際溫度有落差。
    專利文獻1係記載了一種於設置在用以氣相成長出薄膜之反應爐內的旋轉式晶座上所載置之基板的溫度分布測定方法。依據該方法，係藉由設置在既定位置之溫度測定部來對進行旋轉之晶座上所載置之基板的表面溫度進行連續測定，並基於有關晶座旋轉數之資訊來解析伴隨晶座旋轉而位移之基板測定點的軌跡，依據此解析結果，使得由溫度測定部所測定之溫度數據對應於各測定點，藉以算出基板表面之溫度分布。
    專利文獻1 日本特開平11-106289
    本發明係基於上述情事所得者，其目的在於提供一種技術，針對於處理容器內具備有載置基板並進行旋轉之旋轉台的熱處理裝置，可輕易且詳細地推測出處理容器內之溫度分布。
    依據本發明之樣態係提供一種溫度測定裝置，係用以推定包含有處理容器與加熱部之熱處理裝置當中之該處理容器內的溫度分布者；該處理容器於內部設有載置基板之旋轉台；該加熱部係加熱該處理容器；該溫度測定裝置係包含有：輻射溫度測定部，係設置成可藉由對該旋轉台之一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描以測定沿著該徑向之複數溫度測定區域的溫度；指示受理部，係受理該處理容器內之溫度分布的測定指示；動作控制部，一旦該指示受理部受理該處理容器內之溫度分布的測定指示，乃利用該加熱部開始加熱該處理容器、並使得該旋轉台靜止，在利用該加熱部開始加熱該處理容器經過既定時間後，一邊使得該旋轉台相對於該輻射溫度測定部進行旋轉、一邊沿著該旋轉台之圓周方向反覆地進行利用該輻射溫度測定部來對該旋轉台之該一面側朝該旋轉台之徑向做掃描而測定該複數溫度測定區域之溫度的處理，而從該輻射溫度測定部取得該旋轉台之該徑向以及該圓周方向之複數該溫度測定區域之溫度；溫度地圖製作部，係基於該輻射溫度測定部於該旋轉台之徑向進行掃描之每一掃描的該溫度測定區域之數量以及該旋轉台之旋轉數，特定出該動作控制部取得該溫度之該溫度測定區域的位址，使得該溫度與該位址產生對應而記憶於記憶部；以及溫度數據顯示處理部，該溫度地圖製作部係基於記憶於該記憶部之該溫度與該位址而顯示該旋轉台之該一面側的溫度分布來做為該處理容器內之溫度分布的推定值。
    依據本發明之其他樣態，係提供一種熱處理裝置，包含有：處理容器，其內部設有載置基板之旋轉台；加熱部，係加熱該處理容器；以及前述溫度測定裝置。
    依據本發明之其他樣態，係提供一種溫度測定方法，係用以推定包含有處理容器與加熱部之熱處理裝置當中之該處理容器內的溫度分布者；該處理容器於內部設有載置基板之旋轉台；該加熱部係加熱該處理容器；該溫度測定方法具有下述步驟：基於該處理容器內之溫度分布的測定指示，開始利用該加熱部來加熱該處理容器並使得該旋轉台靜止之步驟；當利用該加熱部開始加熱該處理容器經過既定時間後，使得該旋轉台相對於該輻射溫度測定部進行旋轉且沿著該旋轉台之圓周方向來反覆進行：藉由以對該旋轉台之一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描來測定沿著該徑向之複數溫度測定區域之溫度的方式所設置之輻射溫度測定部來對該旋轉台之該一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描而測定該複數溫度測定區域之溫度的處理，而從該輻射溫度測定部取得該旋轉台之該徑向以及該圓周方向之複數該溫度測定區域的溫度之步驟；基於該輻射溫度測定部於該旋轉台之徑向進行掃描之每一掃描的該溫度測定區域之數量以及該旋轉台之旋轉數，以該取得複數該溫度測定區域之溫度的步驟來特定出已取得該溫度之該溫度測定區域的位址，使得該溫度與該位址產生對應而記憶於記憶部之步驟；以及基於記憶於該記憶部之該溫度與該位址而顯示該旋轉台之該一面側的溫度分布來做為該處理容器內之溫度分布的推定值之步驟。
    依據本發明之其他樣態，係提供一種記憶媒體，係以實行前述溫度測定方法的方式組入了步驟。
    首先，針對組裝有本發明之溫度測定裝置的熱處理裝置之一實施形態之成膜裝置1來說明。成膜裝置1係於做為基板之半導體晶圓(以下記載為晶圓)W進行Atomic Layer Deposition(ALD)以及Molecular Layer Deposition(MLD)。
    圖1、圖2、圖3分別為成膜裝置1之縱剖側視圖、概略立體圖、橫剖俯視圖。
    成膜裝置1係包含有大致圓形狀之扁平真空容器11、旋轉台12、搬送機構2A(圖3)、旋轉驅動機構12a、加熱器20、第1反應氣體噴嘴21、分離氣體噴嘴22、第2反應氣體噴嘴23以及分離氣體噴嘴24(圖2、圖3)、輻射溫度測定部3、以及控制部5。
    旋轉驅動機構12a係使得旋轉台12於圓周方向上旋轉。搬送機構2A係搬送晶圓W。加熱器20係設置於旋轉台12下方。
    真空容器11係由頂板13、成為真空容器11之側壁與底部的容器本體14所構成。真空容器11係設置於大氣環境氣氛且內部保持氣密。真空容器11係進一步包含有：密封構件11a(圖1)，係將真空容器11內予以氣密保持；蓋體14a，係阻塞容器本體14之中央部；排氣口26；搬送口17(圖2、圖3)、以及使得搬送口17成為開閉自如之擋門18(圖3)。
    說明成膜裝置1之構成以及熱處理時(成膜時)之動作。
    旋轉台12係水平設置於真空容器11內。於旋轉台12表面沿著該旋轉台12之旋轉方向(圓周方向)形成有用以載置晶圓W之五個凹部16。
    如圖3所示般，一旦搬送機構2A於保持著晶圓W之狀態下從搬送口17進入真空容器11內，則未圖示之升降銷會從對應於搬送口17之位置的凹部16之孔16a往旋轉台12上突出而將從搬送機構2A遞送而來之晶圓W加以保持。藉此，晶圓W經由升降銷而從搬送機構2A遞送到凹部16。
    反覆進行如此之搬送機構2A、升降銷以及旋轉台12的一連串動作，將晶圓W遞送到各凹部16。例如對晶圓W之處理結束後，從真空容器11搬出晶圓W之時，升降銷上頂凹部16內之晶圓W，搬送機構2A承接被上頂之晶圓W而搬出到真空容器11外。
    於旋轉台12上分別從旋轉台12外周往中心延伸之棒狀第1反應氣體噴嘴21、分離氣體噴嘴22、第2反應氣體噴嘴23以及分離氣體噴嘴24係依此順序配置於圓周方向上。此等氣體噴嘴21~24於下方具備開口部，沿著旋轉台12之徑向分別供給氣體。於本實施形態，例如第1反應氣體噴嘴21係釋出做為第1反應氣體之BTBAS(雙四丁基胺基矽烷)氣體，第2反應氣體噴嘴23係釋出做為第2反應氣體之O3(臭氧)氣體。分離氣體噴嘴22,24係釋出做為分離氣體之N2(氮)氣體。
    真空容器11之頂板13係具備往下方突出之扇狀的2個突狀部25，突狀部25係於圓周方向上隔著間隔而形成。分離氣體噴嘴22,24係以分別嵌入突狀部25並將突狀部25朝圓周方向來分割的方式而設置者。第1反應氣體噴嘴21以及第2反應氣體噴嘴23相對於各突狀部25係分離設置著。
    排氣口26於容器本體14之底面係相對於各突狀部25下方的分離區域D在朝旋轉台12之徑向外側的位置處開口設置著。
    一旦晶圓W載置於各凹部16，則從排氣口26進行排氣，真空容器11內成為真空環境氣氛。然後，旋轉台12進行旋轉且藉由加熱器20來經過旋轉台12而將晶圓W加熱至例如350℃。圖3中箭頭27係表示旋轉台12之旋轉方向。
    接著，從各氣體噴嘴21~24供給氣體，使得晶圓W交互通過第1反應氣體噴嘴21下方之第1處理區域P1與第2反應氣體噴嘴23下方之第2處理區域P2，於晶圓W吸附BTBAS氣體，其次吸附O3氣體來使得BTBAS分子受到氧化而形成1層或是複數層的氧化矽分子層。藉此依序積層氧化矽分子層而形成既定膜厚之矽氧化膜。
    此成膜處理時從分離氣體噴嘴22,24供給於分離區域D之N2氣體係將該分離區域D朝圓周方向擴展，防止於旋轉台12上出現BTBAS氣體與O3氣體之混合，並將剩餘的BTBAS氣體以及O3氣體推向排氣口26。此外，此成膜處理時係對旋轉台12之中心部區域上的空間28供給N2氣體。於頂板13，此N2氣體係經由環狀朝下方突出之突出部29的下方而被供給於旋轉台12之徑向外側，防止於前述中心部區域C出現BTBAS氣體與O3氣體之混合。圖3中以箭頭顯示了成膜處理時之各氣體的流動。此外，雖省略圖示，但於蓋體14a內以及旋轉台12內面側也被供給N2氣體，反應氣體受到沖洗。
    其次，說明利用本實施形態之成膜裝置1的輻射溫度測定部3來測定真空容器11之溫度分布的概要。
    圖4係頂板13以及旋轉台12之部分截面圖。以下一併參見圖4來說明。圖4係對應於在圖3沿著配置於氣體噴嘴21與分離氣體噴嘴24之間的區域以鏈線表示之狹縫31的截面。
    頂板13在圖3以鏈線表示之位置處開口有朝旋轉台12徑向延伸之狹縫31。狹縫31係以至少對應於設置在旋轉台12之凹部16的徑向全體之方式來設置。於本實施形態，狹縫31係對應於旋轉台12之徑向全體來設置。
    成膜裝置1包含有以覆蓋狹縫31上下的方式所設置之下側穿透板32以及上側穿透板33。此等下側穿透板32、上側穿透板33係以輻射溫度測定部3可進行溫度測定的方式而由例如藍寶石等從旋轉台12表面側所輻射之紅外線可穿透且可將真空容器11內予以氣密保持之材料所構成。藉此，本實施形態可將真空容器11內予以氣密保持之狀態下來測定旋轉台12之溫度。
    輻射溫度測定部3為非接觸溫度計。輻射溫度測定部3係設置於狹縫31上方。於本實施形態，從圖4中旋轉台12的表面到輻射溫度測定部3下端的高度H為例如500mm。於本實施形態，輻射溫度測定部3係以可將旋轉台12之一面側沿旋轉台12徑向進行掃描藉以測定沿著該徑向之複數部位溫度的方式來設置。
    圖5~圖7係顯示輻射溫度測定部3之概略構成與動作之概略。
    輻射溫度測定部3係包含有：具反射面303~305之旋轉體302以及含接收紅外線之受光部301a的檢測部301。
    檢測部301係一種接收紅外線而計算出對應於所接收之紅外線量的溫度測定值的紅外線感測器。於本實施形態，檢測部301之受光部301a係接收由旋轉體302之反射面303~305所反射之紅外線。
    於本實施形態，旋轉體302係構成為平面視3角形狀，旋轉體302之3個各側面係構成為反射面303~305。如圖5所示般，旋轉體302係以旋轉軸306為中心而朝圖中箭頭所示方向來旋轉。此處，旋轉體302能藉由以例如50Hz旋轉之伺服馬達所構成。
    旋轉體302之反射面303~305當位處於和檢測部301之受光部301a對向的位置時，可對從頂板13之狹縫31下的旋轉台12一面側所輻射之紅外線進行反射。
    檢測部301係以受光部301a可接收由旋轉體302之反射面303~305其中之一所反射之紅外線的方式來構成以及配置。
    於如此之構成，基於位處在和檢測部301之受光部301a相對向之位置的反射面303~305其中之一與檢測部301之受光部301a的相對位置所決定之從旋轉台12之一面側的既定位置(以下稱為溫度測定區域40)所輻射之紅外線會被檢測部301之受光部301a所接收。於圖示之例，和檢測部301之受光部301a相對向之旋轉體302的反射面303之與受光部301a以水平部位所反射之旋轉台12一面側的位置係成為溫度測定區域40。
    檢測部301係依據所接收之紅外線量來算出溫度測定值。檢測部301所算出之溫度測定值係依序送往控制部5(圖1)。
    此外，旋轉體302之構成方式乃當各反射面303~305旋轉至和檢測部301之受光部301a呈對向之配置時，溫度測定區域40會從旋轉台12之一面側的內側往外側方向移動。亦即，於本實施形態，旋轉體302之一邊(反射面303~305)之構成係對應於從旋轉台12之內徑側掃描到外徑側之長度。藉由如此之構成，可從旋轉台12之內側規則性地連續掃描到外側。藉此，高速掃描成為可能。此外，可不受旋轉台12之旋轉速度的影響而從旋轉台12之內徑側掃描到外徑側，可在旋轉台12停止之狀態、進行低速旋轉之狀態、以及高速旋轉之狀態的任一狀態下良好地進行溫度測定。此外，此處係顯示了旋轉體302以平面視3角形狀來形成之例，但旋轉體302之各反射面只要對應於從旋轉台12之內徑側掃描到外徑側之長度而構成，則旋轉體302亦可為平面視3角形狀以外的多角形狀。
    如圖5~圖7所示般，在旋轉體302之反射面303位於和檢測部301之受光部301a相對向之位置的狀態下，旋轉體302繞旋轉軸306進行旋轉，則旋轉台12之溫度測定區域40逐漸從旋轉台12之內側(圖中右側)往外側(圖中左側)移動。一旦溫度測定區域40往旋轉台12之外側移動，則旋轉體302之反射面305成為和檢測部301之受光部301a相對向，包含晶圓W之旋轉台12的溫度測定區域40再次移動到旋轉台12之內側。
    一旦旋轉體302於此狀態繞旋轉軸306來旋轉，則旋轉台12之溫度測定區域40會再次從旋轉台12之內側逐漸往外側移動。於本實施形態，藉由反覆如此之順序，輻射溫度測定部3可反覆連續地進行從旋轉台12之內側往外側之掃描。
    此外，檢測部301係以從旋轉體302之反射面303~305中1者連續地接收例如128次之紅外線以測定徑向上128個部位之溫度的方式來構成。
    於本實施形態，如上述般，當例如旋轉體302乃藉由以50Hz進行旋轉之伺服馬達所構成之情況，由於旋轉體302具有3個反射面303~305，故輻射溫度測定部3從旋轉台12之內側往外側進行掃描之速度可定為150Hz。亦即，輻射溫度測定部3可於1秒當中進行150次掃描。此外，輻射溫度測定部3能以溫度測定區域40之直徑成為例如5mm的方式來構成。
    輻射溫度測定部3可從旋轉台12載置晶圓W之凹部16更位於內側之位置到旋轉台外周端的範圍進行掃描。圖4中鏈線34以及35係表示從分別往旋轉台12之最內周側以及最外周側移動之溫度測定區域40朝向輻射溫度測定部3之紅外線。
    於本實施形態，輻射溫度測定部3在進行掃描之間，旋轉台12係受到旋轉。
    圖8係顯示旋轉台12與溫度測定區域40之關係的俯視圖。
    輻射溫度測定部3係對於頂板13之狹縫31下的旋轉台12上面從內側往外側來掃描。
    例如，於第n次(n為整數)之掃描中，當旋轉台12以線41所示部位位於頂板13之狹縫31下的情況，輻射溫度測定部3係針對線41上從內側往外側掃描來測定複數溫度測定區域40之溫度。之後，旋轉台12往箭頭27之方向旋轉，於第n+1次(n為整數)之掃描中，當旋轉台12以線42所示部位位於頂板13之狹縫31下的情況，輻射溫度測定部3係針對線42上從內側往外側掃描來測定複數溫度測定區域40之溫度。圖8係顯示此狀態。
    如上述般，當檢測部301從旋轉體302之反射面303~305的一者連續地接收例如128次紅外線之情況，於各線41或是42上會存在128個溫度測定區域40。
    藉由旋轉台12之旋轉，掃描線41以及42會以旋轉台12之旋轉中心P為中心使得中心角互相錯開對應於旋轉台12之旋轉速度的角度。如此般一邊讓旋轉台12旋轉、一邊反覆進行掃描，而依序取得旋轉台12在多數位置之溫度測定值。
    藉此，可藉由輻射溫度測定部3來測定旋轉台12之圓周方向上複數部位的溫度。
    於本實施形態，藉由測定旋轉台12之溫度，來測定成膜裝置1之真空容器11內的溫度分布。以下說明其順序。
    於本實施形態，旋轉台12係由例如石英等當在真空容器11內被加熱器20所加熱而於真空容器11內形成溫度分布之際會形成同樣溫度分布的材料所構成。此外，所說的旋轉台12表面側包含晶圓W。
    首先，於旋轉台12靜止之狀態下以加熱器20來加熱真空容器11內。藉此，於真空容器11內形成溫度分布。此處，使得旋轉台12靜止既定時間。是以，於旋轉台12也形成和在真空容器11內所形成之溫度分布為同樣的溫度分布。然後，在藉由旋轉台12之熱容量來形成此溫度分布當中，以輻射溫度測定部3來掃描旋轉台12之表面溫度，測定該溫度分布。亦即，真空容器11之溫度分布視為和旋轉台12之溫度分布一致，測定旋轉台12之溫度分布。此處，旋轉台12之旋轉速度可定為例如12旋轉/分鐘。
    接著，針對設置於成膜裝置1之電腦亦即控制部5之構成，利用圖9的方塊圖來說明。
    控制部5係包含有匯流排51、CPU52、溫度地圖記憶部53、顯示部54、指示受理部55、溫度地圖製作部56、溫度數據顯示處理部57、以及動作控制部58。此外，顯示部54、指示受理部55、溫度地圖製作部56、溫度數據顯示處理部57、以及動作控制部58相當於CPU52以及藉由在CPU52所實行之程式而實現之控制部5的功能區塊。雖未圖示，但控制部5係具有記憶此等程式之記憶部。
    匯流排51係連接有輻射溫度測定部3、CPU52、溫度地圖記憶部53、顯示部54、指示受理部55、溫度地圖製作部56、溫度數據顯示處理部57、以及動作控制部58。溫度地圖記憶部53係如後述般用以記憶和旋轉台12之各位址以及溫度測定值相對應之溫度地圖數據(溫度數據)的記憶體。
    顯示部54係顯示出：顯示旋轉台12之溫度分布的畫像數據、顯示旋轉台12之徑向與溫度關係之圖數據、顯示前述徑向溫度之平均值與時間之關係的圖數據等。
    指示受理部55係接收基於使用者之既定操作的指示。於本實施形態，指示受理部55也可發揮受理關於溫度分布之數據的顯示樣態之指定的顯示指定受理部的功能。所說的顯示樣態可包含的樣態有例如依據對應於溫度之彩色點的集合而顯示旋轉台12之彩色畫像之樣態、顯示沿著使用者所指定之角度而呈現出直線區域之溫度分布之圖的樣態等。
    溫度地圖製作部56可藉由從輻射溫度測定部3所取得之前述溫度測定值來製作溫度地圖之程式而實現。
    溫度數據顯示處理部57於此例可基於由指示受理部55所指定之顯示樣態，藉由從溫度地圖數據以彩色畫像來識別旋轉台55一面側之掃描區域整體溫度分布而顯示於顯示部54的程式而實現。
    在實現此等溫度地圖製作部56以及溫度數據顯示處理部57之程式中係以分別可進行溫度地圖之製作、對顯示部54進行各數據顯示的方式組入了命令(各步驟)，對裝置之各部輸出控制訊號。
    動作控制部58係控制成膜裝置1之各部之動作。動作控制部58於本實施形態為了測定成膜裝置1之真空容器11內的溫度分布可藉由組入有控制成膜裝置1之各部動作的順序或命令(各步驟)的程式來實現。
    此等程式(也包含關於處理參數之輸入操作、顯示的程式)係被儲存在電腦記憶媒體例如軟碟、光碟、硬碟、MO(光磁碟)、記憶卡等記憶媒體而安裝於控制部5。
    為了製作溫度地圖數據，針對分配於旋轉台12表面之位址來說明。圖10顯示一例。
    此位址係藉由特定旋轉台12之徑向位置的座標r以及特定旋轉台12之圓周方向位置的θ來分配於極座標上。溫度地圖製作部56係將以輻射溫度測定部3所取得之各溫度測定區域40的溫度測定值分配於和該溫度測定區域40相對應之位址上來製作溫度地圖數據。如上述般，輻射溫度測定部3為了於1次的掃描中檢測徑向上之128個部位的溫度，r座標乃從旋轉台12之掃描點(溫度測定區域)依序對應於各掃描點而分配從1~128之編號。r座標值愈小愈成為旋轉台12之內側的區域。θ座標係以旋轉台12之旋轉中心P為基準而以0.5°刻度的角度來設定，而被分配0~355.5當中之0.5刻度的編號。此外，此刻度角度僅舉出一例，並不限定於此值。愈朝向旋轉台12之旋轉方向上游側則θ值愈大。此外，θ=0之位址在旋轉方向下游側之相鄰區域係設定為θ=355.5之位址。
    圖10係顯示r為1~128且θ為1、1.5之位址分布。
    如圖10所示般，由於愈接近旋轉中心P則旋轉台12之圓周方向長度愈短，故於r為65~128之範圍係將溫度測定數據分別分配於θ=1、1.5之位址，而於r為1~64之範圍則將溫度測定數據當作θ=1來處理。其他於θ=0.5~1以外之範圍同樣地在r為1~64之範圍係將θ=m+0.5(m為整數)當作m來處理。此外，從圖中以A所示旋轉中心P來看，θ=1、1.5之位址的大致形狀線與旋轉中心P所成的角度雖實際為1°，但為了避免各位址之顯示變小而不易看見是以描繪成比1°來得大。
    圖11係顯示於溫度地圖記憶部53所記憶之溫度地圖數據之構成之一例之圖。
    於此溫度地圖，由輻射溫度測定部3所檢測之溫度測定值係被寫入和相當於取得該溫度測定值之溫度測定區域40的位址(r,θ)相對應之區域。
    針對此溫度測定區域40與位址(r,θ)之對應關係來說明。控制部5係計數從輻射溫度測定部3所送訊之溫度測定值為從檢測開始第幾個被送來的溫度測定值而特定r值。亦即，若為第1個送來的溫度測定值則定為r=1，若為第125個送來的溫度測定值則定為r=125，若為第225個送來的溫度測定值則定為r=225-128=97。
    於本實施形態，溫度地圖製作部56係構成為可掌握控制部5之時序與旋轉台12之旋轉速度。
    溫度地圖製作部56係將於開始溫度測定時由輻射溫度測定部3進行1次掃描所得之溫度測定值當作θ=0之溫度測定值來處理。所謂θ=0係對應於參見圖3以及圖4所說明之設置有狹縫31的部位。其次，溫度地圖製作部56針對後續所進行之利用輻射溫度測定部3之掃描所得之溫度測定值係基於控制部5之時序與旋轉台12之旋轉速度來特定θ以及r。
    亦即，若溫度地圖數據之製作以1分鐘來進行，當旋轉台12之旋轉速度定為12旋轉/分則連續地取得12個0~360°分之溫度地圖數據群。從而可取出從測定開始對應於經過時間之溫度地圖數據。此外，如後述般於此例中，輻射溫度測定部3之掃描速度相較於旋轉台12之旋轉速度為非常的快，故於顯示溫度測定值之圖之際，例如由1次掃描所得之溫度測定值係當作於相同時間所得溫度測定值來處理。
    此處，由於旋轉台12進行旋轉之同時利用輻射溫度測定部3進行掃描，故如圖12所示般，實際上溫度測定區域40從旋轉台12之內側往外側移動之間從旋轉台12來觀看，溫度測定區域40於1次的掃描中係朝向該旋轉台12之旋轉方向上游側彎曲移動。
    但是，於此例中由於彎曲的曲度小，故溫度地圖製作部56係如圖4所示般藉由1次的掃描而將溫度測定區域當作沿著旋轉台12之徑向直線來移動者處理。亦即，溫度地圖製作部56係將於1次掃描所得溫度測定值之r=2~128的θ值當成和r=1之θ值為相同值者處理來製作溫度地圖數據。
    另一方面，當進行溫度測定時之旋轉台12之旋轉速度在此例中由於為12旋轉/分，故圖8中以θ1所示連續地進行之掃描線41、42所呈角度會因為下述式1而成為θ1等於0.48°。
    θ1=1秒鐘之旋轉台12之旋轉速度(旋轉/秒)×360°÷掃描速度(Hz)=(12/60)×360×1/150=0.48°………(式1)
    亦即，在進行了1次掃描後，於下次掃描係相對於前次掃描使得θ錯開0.48°，於溫度地圖數據寫入溫度測定值。如上述般由於θ係以0.5°刻度來設定，當例如運算後θ為無法以0.5除盡之數值的情況，控制部5會使得θ值近似於能以更接近0.5所除盡之數值，而以該近似數值來寫入溫度地圖數據。
    此外，藉由如此般來近似θ，雖有第n次掃描與第n+1次掃描取得相同位址之溫度地圖數據的情況，但於該情況係例如第n+1次掃描之取得數據成為無效。
    此外，於以上例中雖顯示了θ座標係以旋轉台12之旋轉中心P為基準而以0.5°刻度的角度來設定之例，但如圖10所示般，也可設定為因應於旋轉台12之旋轉速度所算出之角度(例如0.48°)刻度的角度。
    說明利用此成膜裝置1來測定真空容器11內之溫度分布的順序之一例。
    例如和成膜處理時同樣地在5片晶圓W載置於凹部16之狀態下，使用者使用操作部(未圖示)進行既定操作，於旋轉台12靜止之狀態下切入加熱器20之開關，進行開始加熱之指示。指示受理部55會受理使用者之指示。動作控制部58基於指示受理部55所受理之指示而在旋轉台12靜止之狀態下切入加熱器20之開關來開始加熱。藉此，加熱器20之溫度開始上升，隨著時間的經過，加熱器20之輸出會被維持於一定。一旦加熱器20之輸出維持於一定，則旋轉台12之溫度會穩定，從而旋轉台12(以及晶圓W)之表面所形成之溫度分布係沿循真空容器11內之溫度分布。
    於開始加熱經過既定時間後，使用者利用操作部(未圖示)進行既定操作，做出進行旋轉台12(以及晶圓W)之表面溫度測定的指示。指示受理部55會受理使用者之指示。動作控制部58基於指示受理部55所受理之指示來使得旋轉台12以既定旋轉速度、例如12旋轉/分來旋轉、並藉由輻射溫度測定部3來從旋轉台12之內側往外側反覆地進行掃描，而進行旋轉台12(以及晶圓W)之表面的溫度測定。此時，旋轉台12表面之溫度分布會因為旋轉台12之熱容量而被維持著。
    溫度地圖製作部56係於和所掃描之溫度測定區域40相對應之位址處來與輻射溫度測定部3所測定之測定溫度值做出對應以溫度地圖數據的形式記憶於記憶部53。
    於本實施形態，一旦旋轉台12進行360°旋轉，則溫度地圖製作部56會結束旋轉台12之旋轉、輻射溫度測定部3之掃描以及溫度地圖之製作。
    溫度數據顯示處理部57會參見記憶於記憶部53之溫度地圖數據，在和所掃描之溫度測定區域40相對應之位址呈現對應之位置處使得該位址之溫度測定值以對應於該溫度測定值之彩色點的形式顯示於顯示部54。藉此，藉由彩色點之集合來描繪出旋轉台12之彩色畫像。具體而言，指示受理部55一旦受理來自使用者之指示，則旋轉台12之溫度分布(亦即平面觀看之真空容器11的溫度分布)以彩色畫像的形式顯示出。針對分別改變加熱器20之輸出而實際進行溫度分布測定所得之彩色畫像經過若干簡略化的示意圖係分別以圖13、圖14來顯示。此等彩色畫像實際上係以被掛上對應於溫度梯度之彩色的階度(gradation)之狀態來顯示，於圖13、圖14中基於方便圖示之說明起見，係以等高線來區劃顯示形成有溫度差之區域間，以濃灰顯示區域>淡灰顯示區域>附加斜線之區域的順序來顯示高溫。
    另一方面，擁有相同θ值之位址的溫度測定值中，r值愈大則以旋轉台12周緣部側之彩色點的形式輸出，但如圖12所說明般，受到旋轉台12之旋轉的影響，愈朝向旋轉台12之徑向外側則實際測定溫度之位置相較於原分配之θ位置會偏向旋轉方向上游側。是以溫度數據顯示處理部57針對擁有相同θ值之溫度測定值並非以沿著旋轉台12之徑向而配置於直線上的彩色形式輸出，而可以愈往旋轉台12之周緣側則愈朝向旋轉方向上游側彎曲之曲線上配置的彩色點形式輸出。藉此，真空容器11內之實際溫度分布可高精度地顯示於顯示部54。此彩色點之彎曲程度可依據進行測定時之旋轉台12之旋轉速度來決定，係使得溫度測定值之取得位置與該溫度測定值所產生彩色點之輸出位置大致成為一致的方式來設定。
    除了上述旋轉台12之彩色畫像以外，針對可於顯示部54顯示之顯示樣態來說明。使用者若於上述旋轉台12之彩色畫像中指定沿著其徑向之任意直線區域，則溫度數據顯示處理部57會於顯示部54顯示表現該直線區域之溫度分布的圖。
    圖15、圖16係表示使用者指定顯示圖13中分別以θ1、θ2表示之區域之圖的一例。圖17、圖18係表示使用者指定顯示圖14中分別以θ3、θ4表示之區域之圖的一例。此外，θ1與θ3為相同區域，θ2與θ4為相同區域。各圖之橫軸係相對於旋轉中心P之距離(單位：mm)，此距離係對應於位址r之座標值來設定。縱軸為溫度(單位：℃)。
    說明製作如此圖之順序。使用者係如上述般指定直線區域。如上述般於此直線區域，雖輸出擁有不同θ之位址的溫度測定值，但溫度數據顯示處理部57係檢測例如於該直線區域中最靠近徑向內側以彩色點形式輸出之溫度測定值的θ座標。然後，使用擁有此θ之位址的r=1~128之溫度測定值來製作上述圖。
    依據本實施形態之成膜裝置1，係使得旋轉台12靜止既定時間，讓形成於真空容器11內之溫度分布反映於旋轉台12。其次，在旋轉台12維持著溫度分布之間，使得旋轉台12進行1次旋轉，於其間藉由輻射溫度測定部3來沿著旋轉台12之徑向反覆地掃描以測定徑向溫度。
    此外，溫度地圖製作部56係構成為可掌握控制部5之時序與旋轉台12之旋轉速度。溫度地圖製作部56係使得輻射溫度測定部3所依序取得之溫度測定值來和旋轉台12(真空容器11內之位置)之各位址相對應而以溫度地圖數據的形式記憶於溫度地圖記憶部53。
    具體而言，溫度地圖製作部56係使得輻射溫度測定部3所最初取得之溫度測定值來和設有θ=0之狹縫31的部位之旋轉台12之內側位置(例如r=1)相對應，從該部位往外側依序以θ=0來增加r而取得128個溫度測定值做為位址數據。接著，對應於旋轉台12之和旋轉方向為相反側方向之下一角度(例如θ=0.5°之位置)的旋轉台12之內側位置(例如r=1)，從該部位往外側依序以θ=0.5來增加r而取得第129個溫度測定值做為位址數據。如此之處理係於旋轉台12之整個1周上反覆進行。
    溫度數據顯示處理部57係基於儲存在溫度地圖記憶部53之溫度地圖數據來將旋轉台12之溫度分布顯示於顯示部54。
    藉由以上之構成，使用者可藉由於顯示部54所顯示之旋轉台12之彩色畫像或圖而針對真空容器11內之溫度分布做詳細預測。
    如以上般，依據本實施形態之成膜裝置1，無須費工夫在將熱電偶裝設於真空容器11內。此外，也無須為了裝設熱電偶而將真空容器11內開放於大氣。是以，可輕易預測真空容器11內所形成之溫度分布。
    上述溫度分布之測定可在裝置之開發階段來進行，也可在晶圓W之處理空檔之維修時為了確認裝置動作狀況而進行。
    此外，於上述實施形態，雖使得旋轉台12以相對慢速進行1周旋轉之間來反覆進行掃描，而測定旋轉台12之各部溫度，但亦可在旋轉台12以高速反覆旋轉之間來反覆進行掃描而測定旋轉台12之各部溫度。
    此外，上述溫度分布之測定也可在晶圓W未載置於旋轉台12之狀態下來進行。
    此外，當旋轉台12之凹部16載置有晶圓W之情況，依據構成晶圓W之材料與構成旋轉台12之材料可使得熱傳導率或熱容量成為不同。是以，溫度地圖製作部56可依據所使用之材料種類來校正輻射溫度測定部3所測定之溫度測定值。
    例如，溫度地圖製作部56可將對應於旋轉台12之凹部16位置的溫度測定區域40之溫度測定值相對於旋轉台12之凹部16以外位置的溫度測定區域40之溫度測定值進行校正。溫度地圖製作部56可保持和旋轉台12之凹部16以外位置相對應之溫度換算值、以及和載置於旋轉台12之凹部16的晶圓W相對應之溫度換算值。此外，旋轉台12之凹部16位置的檢測也可事先於控制部5保存地圖數據，也可基於輻射溫度測定部3所測定之測定溫度值而利用例如圖案匹配等來檢測旋轉台12之凹部16的位置。
    此外，即便是當旋轉台12之凹部16未載置晶圓W之情況，由於凹部16之凹陷深度和其他部位不同，故也可考慮該高度差異來進行校正。
    此外，測定成膜裝置1所造成真空容器11內之溫度分布的順序也能以動作控制部58來做控制。一旦動作控制部58從使用者接收到開始測定溫度分布之指示，則於使得旋轉台12靜止之狀態下切入加熱器20之開關來開始加熱。之後，加熱器成為既定溫度，一旦經過預先設定之時間來使得旋轉台12之溫度穩定，則動作控制部58乃以開始旋轉台12之旋轉以及輻射溫度測定部3之掃描的方式來進行控制。
    圖19係說明動作控制部58之順序的流程圖。
    一旦使用者發出開始測定溫度分布之指示(步驟S100之YES)，動作控制部58會切入加熱器20之開關來開始加熱真空容器11(步驟S101)。從加熱開始經過既定時間後(步驟S102之YES)，動作控制部58開始以輻射溫度測定部3進行測定，開始從旋轉台12之內側往外側之掃描以及旋轉台12之旋轉(步驟S104)。此處，溫度地圖製作部56係基於動作控制部58之指示使得輻射溫度測定部3所測定之測定溫度值對應於和掃描過之溫度測定區域40相對應之位址，來製作溫度地圖數據。
    從切入加熱器20之開關到旋轉台12之表面依照真空容器11內之溫度分布而形成溫度分布所需既定時間可藉由加熱器20之種類、構成旋轉台12或晶圓W之材料種類、膜厚等以模擬等來事先求出，而事先記憶於控制部5。
    之後，一旦結束了旋轉台12相當於1周的處理(步驟S106之YES)，乃結束測定成膜裝置1所致真空容器11內之溫度分布的處理。
    此外，亦可於結束了旋轉台121周程度(360°)之處理後，再使得旋轉台12靜止一定期間而於經過既定期間後再度反覆進行測定溫度之處理。此時，可使得旋轉台相對於真空容器11之位置成為和前次同樣，並測定旋轉台12之相同部位來取平均。此外，也可使得旋轉台相對於真空容器11之位置和前次相同，並能在和旋轉台12之前次為不同之部位進行測定的方式略為挪移後以多點來測定。
    再者，於本實施形態，係假設旋轉台12反映真空容器11內之溫度分布來進行測定，但為了防止因旋轉台12本身構成所造成之溫度差異的影響，也可在改變旋轉台對真空容器11之位置的狀態下靜止既定時間來反覆進行溫度測定，而平均計算出對應於真空容器11各部位之溫度。
    於上述實施形態，從溫度地圖數據顯示圖13、圖14之旋轉台12之彩色畫像之際，如上述般針對相同θ之溫度測定值，係以r愈大則往旋轉方向上游側彎曲之彩色點的形式來顯示，但亦可以徑向作直線狀配置之彩色點的形式來顯示。
    此外，針對圖15~圖16之旋轉台的徑向圖，可如圖12所說明般考慮實測溫度之場所與儲存溫度測定值之位址的場所的相錯開，使用隨著r愈大則相對於前述θ愈往旋轉方向上游側錯開之θ位址的溫度測定值來製作圖。亦即，也可以上述彩色畫像使用和輸出於使用者所指定之直線區域的各彩色點相對應的各θ位址之溫度測定值來製作圖。
    於上述實施形態，當顯示徑向數據之時，於1次掃描所需時間內係將旋轉台12視為靜止狀態。當如此般於1次掃描所需時間內之旋轉台12之旋轉方向位置未大幅變化之情況下，可不考慮旋轉台12之速度來決定和各溫度測定區域40相對應之位址。
    此外，前述輻射溫度測定部3為了儘可能測定較多部位來高精度掌握旋轉台12之溫度分布，以旋轉台進行1次旋轉之間沿著徑向進行10次以上掃描為佳。
    本發明之溫度測定裝置，係設置有：輻射溫度測定部，在旋轉台靜止而旋轉台之溫度穩定後於旋轉台旋轉之間，沿著該旋轉台之徑向來反覆掃描，以於掃描中測定複數溫度測定區域之溫度；以及顯示旋轉台一面側之溫度分布的數據處理部。從而，可從旋轉台之溫度分布來容易且詳細地推測處理容器內之溫度分布。
    1‧‧‧成膜裝置
    3‧‧‧輻射溫度測定部
    5‧‧‧控制部
    11‧‧‧真空容器
    11a‧‧‧密封構件
    12‧‧‧旋轉台
    12a‧‧‧旋轉驅動機構
    13‧‧‧頂板
    14‧‧‧容器本體
    14a‧‧‧蓋體
    16‧‧‧凹部
    16a‧‧‧孔
    17‧‧‧搬送口
    18‧‧‧擋門
    20‧‧‧加熱器
    21‧‧‧第1反應氣體噴嘴
    22‧‧‧分離氣體噴嘴
    23‧‧‧第2反應氣體噴嘴
    24‧‧‧分離氣體噴嘴
    25‧‧‧突狀部
    26‧‧‧排氣口
    27‧‧‧旋轉方向
    28‧‧‧空間
    29‧‧‧突出部
    31‧‧‧狹縫
    32‧‧‧下側穿透板
    33‧‧‧上側穿透板
    34‧‧‧紅外線
    35‧‧‧紅外線
    40‧‧‧溫度測定區域
    51‧‧‧匯流排
    52‧‧‧CPU
    53‧‧‧溫度地圖記憶部
    54‧‧‧顯示部
    55‧‧‧指示受理部
    56‧‧‧溫度地圖製作部
    57‧‧‧溫度數據顯示處理部
    58‧‧‧動作控制部
    301‧‧‧檢測部
    301a‧‧‧受光部
    302‧‧‧旋轉體
    303~305‧‧‧反射面
    306‧‧‧旋轉軸
    2A‧‧‧搬送機構
    D‧‧‧分離區域
    P‧‧‧旋轉中心
    P1‧‧‧第1處理區域
    P2‧‧‧第2處理區域
    W‧‧‧晶圓
    圖1係本發明之熱處理裝置之實施形態的成膜裝置之縱剖側視圖。
    圖2係顯示上述成膜裝置內部之概略構成之立體圖。
    圖3係前述成膜裝置之真空容器底部之縱截面圖。
    圖4係顯示溫度測定部之溫度測定區域之說明圖。
    圖5係溫度測定部之概略圖。
    圖6係溫度測定部之概略圖。
    圖7係溫度測定部之概略圖。
    圖8係顯示被掃描點之示意圖。
    圖9係於前述成膜裝置所設之控制部之方塊圖。
    圖10係顯示被掃描點與前述控制部之表之關係之示意圖。
    圖11係顯示前述表之構成之說明圖。
    圖12係顯示移動之溫度測定區域之位置的俯視圖。
    圖13係顯示構成前述控制部之顯示部所顯示之旋轉台的溫度分布之示意圖。
    圖14係顯示構成前述控制部之顯示部所顯示之旋轉台的溫度分布之示意圖。
    圖15係顯示旋轉台之徑向位置與溫度關係之圖。
    圖16係顯示旋轉台之徑向位置與溫度關係之圖。
    圖17係顯示旋轉台之徑向位置與溫度關係之圖。
    圖18係顯示旋轉台之徑向位置與溫度關係之圖。
    圖19係說明動作控制部之順序的流程圖。
    1‧‧‧成膜裝置
    3‧‧‧輻射溫度測定部
    5‧‧‧控制部
    11‧‧‧真空容器
    11a‧‧‧密封構件
    12‧‧‧旋轉台
    12a‧‧‧旋轉驅動機構
    13‧‧‧頂板
    14‧‧‧容器本體
    14a‧‧‧蓋體
    16‧‧‧凹部
    20‧‧‧加熱器
    26‧‧‧排氣口
    28‧‧‧空間
    29‧‧‧突出部
    W‧‧‧晶圓
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種溫度測定裝置，係用以推定包含有處理容器與加熱部之熱處理裝置當中之該處理容器內的溫度分布者；該處理容器於內部設有載置基板之旋轉台；該加熱部係加熱該處理容器；該溫度測定裝置係包含有：輻射溫度測定部，係設置成可藉由對該旋轉台之一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描以測定沿著該徑向之複數溫度測定區域的溫度；指示受理部，係受理該處理容器內之溫度分布的測定指示；動作控制部，一旦該指示受理部受理該處理容器內之溫度分布的測定指示，乃利用該加熱部開始加熱該處理容器、並使得該旋轉台靜止，在利用該加熱部開始加熱該處理容器經過既定時間後，一邊使得該旋轉台相對於該輻射溫度測定部進行旋轉、一邊沿著該旋轉台之圓周方向反覆地進行利用該輻射溫度測定部來對該旋轉台之該一面側朝該旋轉台之徑向做掃描而測定該複數溫度測定區域之溫度的處理，而從該輻射溫度測定部取得該旋轉台之該徑向以及該圓周方向之複數該溫度測定區域之溫度；溫度地圖製作部，係基於該輻射溫度測定部於該旋轉台之徑向進行掃描之每一掃描的該溫度測定區域之數量以及該旋轉台之旋轉數，特定出該動作控制部取得該溫度之該溫度測定區域的位址，使得該溫度與該位址產生對應而記憶於記憶部；以及溫度數據顯示處理部，該溫度地圖製作部係基於記憶於該記憶部之該溫度與該位址而顯示該旋轉台之該一面側的溫度分布來做為該處理容器內之溫度分布的推定值。
    [2] 如申請專利範圍第1項之溫度測定裝置，其中該輻射溫度測定部係於該處理容器之既定部位對該旋轉台之一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描，以測定沿著該徑向之複數溫度測定區域的溫度；該動作控制部係使得藉由該輻射溫度測定部對該旋轉台之該一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描來測定該複數溫度測定區域之溫度的處理在該旋轉台相對於該輻射溫度測定部至少旋轉1周之間來進行，而從該輻射溫度測定部取得該旋轉台之該徑向以及該圓周方向之複數該溫度測定區域的溫度。
    [3] 如申請專利範圍第1項之溫度測定裝置，其中一旦該指示受理部從使用者受理到該旋轉台之既定角度之指定，該溫度數據顯示處理部乃基於寫入於該記憶部之該溫度與該位址而顯示沿著該既定角度之直線區域的溫度分布。
    [4] 如申請專利範圍第1項之溫度測定裝置，其中該動作控制部係基於該輻射溫度測定部之掃描速度來控制該旋轉台之旋轉速度，而於該旋轉台旋轉1周之間使得該輻射溫度測定部沿著該旋轉台之徑向進行10次以上的掃描。
    [5] 如申請專利範圍第1項之溫度測定裝置，其中該輻射溫度測定部係接收該旋轉台表面之紅外線來測定該旋轉台表面之溫度；該處理容器係進一步含有：狹縫，係從該旋轉台之內側沿著外徑側設置於既定位置；以及，穿透板，係設置成覆蓋該狹縫並可穿透紅外線；該輻射溫度測定部係沿著該狹縫而經由該穿透板對該旋轉台之一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描，以測定沿著該徑向之複數溫度測定區域的溫度。
    [6] 如申請專利範圍第1項之溫度測定裝置，其中該輻射溫度測定部係設置成為對該旋轉台之該一面側朝該旋轉台之徑向從內側往外徑側進行掃描。
    [7] 一種熱處理裝置，係包含有：處理容器，其內部設有載置基板之旋轉台；加熱部，係加熱該處理容器；以及如申請專利範圍第1項之溫度測定裝置。
    [8] 一種溫度測定方法，係用以推定包含有處理容器與加熱部之熱處理裝置當中之該處理容器內的溫度分布者；該處理容器於內部設有載置基板之旋轉台；該加熱部係加熱該處理容器；該溫度測定方法具有下述步驟：基於該處理容器內之溫度分布的測定指示，開始利用該加熱部來加熱該處理容器並使得該旋轉台靜止之步驟；當利用該加熱部開始加熱該處理容器經過既定時間後，使得該旋轉台相對於該輻射溫度測定部進行旋轉且沿著該旋轉台之圓周方向來反覆進行：藉由以對該旋轉台之一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描來測定以沿著該徑向之複數溫度測定區域之溫度的方式所設置之輻射溫度測定部來對該旋轉台之該一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描而測定該複數溫度測定區域之溫度的處理，而從該輻射溫度測定部取得該旋轉台之該徑向以及該圓周方向之複數該溫度測定區域的溫度之步驟；基於該輻射溫度測定部於該旋轉台之徑向進行掃描之每一掃描的該溫度測定區域之數量以及該旋轉台之旋轉數，以該取得複數該溫度測定區域之溫度的步驟來特定出已取得該溫度之該溫度測定區域的位址，使得該溫度與該位址產生對應而記憶於記憶部之步驟；以及基於記憶於該記憶部之該溫度與該位址而顯示該旋轉台之該一面側的溫度分布來做為該處理容器內之溫度分布的推定值之步驟。
    [9] 如申請專利範圍第8項之溫度測定方法，其中於該取得複數該溫度測定區域之溫度的步驟中，係使得藉由該輻射溫度測定部對該旋轉台之該一面側朝該旋轉台之徑向進行掃描來測定該複數溫度測定區域之溫度的處理在該旋轉台相對於該輻射溫度測定部至少旋轉1周之間來進行，而從該輻射溫度測定部取得該旋轉台之該徑向以及該圓周方向之複數該溫度測定區域的溫度。
    [10] 一種記憶媒體，係以實行如申請專利範圍第8項之溫度測定方法的方式組入有步驟。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    TWI488248B|2015-06-11|溫度測定裝置、溫度測定方法、記憶媒體以及熱處理裝置
    TWI603412B|2017-10-21|溫度測量裝置、溫度測量方法、記憶媒體及熱處理裝置
    TWI432601B|2014-04-01|用於化學氣相沉積的溫度控制方法
    TWI525744B|2016-03-11|加熱之晶圓載體輪廓勘測
    JP2010199586A|2010-09-09|熱処理中に半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法
    TW201515134A|2015-04-16|基板脫離檢測裝置及基板脫離檢測方法，以及使用此等之基板處理裝置及基板處理方法
    KR19990037028A|1999-05-25|반도체웨이퍼의 틀린위치를 검출하는 방법 및 장치
    US6864463B2|2005-03-08|Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method
    TWI660443B|2019-05-21|熱處理裝置及溫度控制方法
    JP4186365B2|2008-11-26|温度測定方法、温度制御方法及び熱処理装置
    TW201713927A|2017-04-16|溫度測定方法及熱處理裝置
    JP2018189613A|2018-11-29|温度測定装置
    JP5851377B2|2016-02-03|ヒータ異常判別システム、及び、ヒータ異常判別方法
    JPH09246261A|1997-09-19|熱処理装置とその温度制御方法
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP2012248631A|2012-12-13|
    KR20120132379A|2012-12-05|
    CN102798468A|2012-11-28|
    KR101542289B1|2015-08-06|
    TWI488248B|2015-06-11|
    JP5640894B2|2014-12-17|
    US20130130187A1|2013-05-23|
    CN102798468B|2016-01-20|
    US8992079B2|2015-03-31|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPS63217238A|1987-03-06|1988-09-09|Nikon Corp|Temperature measuring instrument|
    US5117769A|1987-03-31|1992-06-02|Epsilon Technology, Inc.|Drive shaft apparatus for a susceptor|
    US4828224A|1987-10-15|1989-05-09|Epsilon Technology, Inc.|Chemical vapor deposition system|
    JPH0637022A|1992-07-20|1994-02-10|Fuji Electric Co Ltd|気相成長装置の温度測定方法|
    JPH1197371A|1997-09-18|1999-04-09|Tokyo Electron Ltd|熱処理装置|
    JP3355475B2|1997-10-02|2002-12-09|株式会社ジャパンエナジー|基板の温度分布測定方法|
    US6064799A|1998-04-30|2000-05-16|Applied Materials, Inc.|Method and apparatus for controlling the radial temperature gradient of a wafer while ramping the wafer temperature|
    US6164816A|1998-08-14|2000-12-26|Applied Materials, Inc.|Tuning a substrate temperature measurement system|
    JP4490521B2|1999-01-29|2010-06-30|東京エレクトロン株式会社|回転駆動機構及び被検査体の載置機構並びに検査装置|
    US6538425B1|1999-11-29|2003-03-25|Fuji Machine Mfg. Co., Ltd.|Method of measuring accuracy of electric-component mounting system|
    JP2001284261A|2000-03-30|2001-10-12|Shibaura Mechatronics Corp|半導体処理装置|
    US6720541B2|2000-04-17|2004-04-13|Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.|High frequency heating apparatus with temperature detection means|
    US20020039030A1|2000-08-03|2002-04-04|Mehyar Khazei|System, method, and apparatus for product diagnostic and evaluation testing|
    JP2003031634A|2001-07-19|2003-01-31|Shimadzu Corp|基板載置装置及び基板処理装置|
    JP2003133245A|2001-08-10|2003-05-09|Toshiba Mach Co Ltd|縦型気相成長装置|
    US6770852B1|2003-02-27|2004-08-03|Lam Research Corporation|Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control|
    DE102005001163B3|2005-01-10|2006-05-18|Erich Reitinger|Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern mittels einer temperierbaren Aufspanneinrichtung|
    KR20070031567A|2005-09-15|2007-03-20|삼성전자주식회사|화학적 기계적 연마 장치|
    JP4426518B2|2005-10-11|2010-03-03|東京エレクトロン株式会社|処理装置|
    KR20080059304A|2005-12-07|2008-06-26|가부시키가이샤 알박|막 형성장치 및 막 형성방법|
    US8573836B2|2006-10-26|2013-11-05|Tokyo Electron Limited|Apparatus and method for evaluating a substrate mounting device|
    DE102007026348A1|2007-06-06|2008-12-11|Aixtron Ag|Verfahren und Vorrichtung zur Temperatursteuerung der Oberflächentemperaturen von Substraten in einem CVD-Reaktor|
    JP5042950B2|2008-09-05|2012-10-03|東京エレクトロン株式会社|縦型熱処理装置及び基板支持具|
    JP5330795B2|2008-10-27|2013-10-30|大陽日酸株式会社|気相成長装置の基板温度測定方法|
    US8109669B2|2008-11-19|2012-02-07|Applied Materials, Inc.|Temperature uniformity measurement during thermal processing|
    JP5131240B2|2009-04-09|2013-01-30|東京エレクトロン株式会社|成膜装置、成膜方法及び記憶媒体|
    WO2011052831A1|2009-11-02|2011-05-05|엘아이디에이디피 주식회사|화학기상증착장치의 온도제어방법|
    JP5630379B2|2011-05-26|2014-11-26|東京エレクトロン株式会社|温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置|
    JP5750339B2|2011-08-31|2015-07-22|株式会社ニューフレアテクノロジー|気相成長方法及び気相成長装置|
    WO2013047555A1|2011-09-28|2013-04-04|住友大阪セメント株式会社|静電チャック装置|
    KR20130098707A|2012-02-28|2013-09-05|삼성전자주식회사|정전 척 장치 및 그 제어방법|
    JP6118102B2|2012-12-21|2017-04-19|東京エレクトロン株式会社|基板位置検出装置及びこれを用いた基板処理装置、成膜装置|JP5131240B2|2009-04-09|2013-01-30|東京エレクトロン株式会社|成膜装置、成膜方法及び記憶媒体|
    JP5630379B2|2011-05-26|2014-11-26|東京エレクトロン株式会社|温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置|
    DE102013114412A1|2013-12-18|2015-06-18|Aixtron Se|Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Temperatur in einer Prozesskammer eines CVD-Reaktors unter Verwendung zweier Temperatursensoreinrichtungen|
    JP6318869B2|2014-05-30|2018-05-09|東京エレクトロン株式会社|成膜装置|
    JP6464765B2|2015-01-19|2019-02-06|東京エレクトロン株式会社|熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体|
    KR102072263B1|2015-06-30|2020-01-31|도쿄엘렉트론가부시키가이샤|온도 측정 방법 및 열처리 장치|
    WO2017115377A1|2015-12-31|2017-07-06|Nova Measuring Instruments Ltd.|Method and system for processing patterned structures|
    US9933314B2|2016-06-30|2018-04-03|Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.|Semiconductor workpiece temperature measurement system|
    CN109990428B|2019-04-18|2020-06-05|珠海格力电器股份有限公司|空调器安装位置确定方法和装置|
    KR20210056843A|2019-11-11|2021-05-20|주성엔지니어링|기판처리장치|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011118372A|JP5640894B2|2011-05-26|2011-05-26|温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置|
    [返回顶部]